চীন ইলেকট্রনিক আইসি চিপ উত্পাদক

সেরা পরিষেবা, সেরা চিপ

উপাদানগুলির চীনের বৃহত্তম এক-স্টপ সংগ্রহ

Bengali
উদ্ধৃতির জন্য আবেদন
পণ্য

এন চ্যানেল ট্রানজিস্টর বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস SIHF10N40D-E3 পাওয়ার মসফেট

N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
বেসিক ইনফরমেশন
পরিচিতিমুলক নাম: Vishay Semiconductor
মডেল নম্বার: SIHF10N40D-E3
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: 1 টুকরা
ডেলিভারি সময়: 2~8 কর্মদিবস
পরিশোধের শর্ত: টি/টি
ভালো দাম এখন যোগাযোগ
ব্র্যান্ড: বিষয় সেমিকন্ডাক্টর সনদপত্র: /
মডেল: SIHF10N40D-E3 MOQ: 1 পিসি
মূল্য: Negotiated ডেলিভারি: 2~8 কর্মদিবস
অর্থপ্রদান: টি/টি
লক্ষণীয় করা:

N চ্যানেল বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস

,

EAR99 বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস

,

SIHF10N40D-E3

পণ্য প্রযুক্তিগত বিশেষ উল্লেখ

N চ্যানেল ট্রানজিস্টর বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর SIHF10N40D-E3 পাওয়ার মসফেট

 

 

ইইউ RoHS অনুযোগ
ECCN (মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র) EAR99
পার্ট স্ট্যাটাস সক্রিয়
এইচটিএস 8541.29.00.95
স্বয়ংচালিত না
পিপিএপি না
পণ্য তালিকা পাওয়ার MOSFET
কনফিগারেশন একক
চ্যানেল মোড বর্ধন
চ্যানেলের ধরন এন
প্রতি চিপ উপাদান সংখ্যা 1
সর্বোচ্চ ড্রেন সোর্স ভোল্টেজ (V) 400
সর্বোচ্চ গেট সোর্স ভোল্টেজ (V) ±30
সর্বোচ্চ গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ (V) 5
সর্বাধিক ক্রমাগত ড্রেন স্রোত (A) 10
সর্বোচ্চ গেট সোর্স লিকেজ কারেন্ট (nA) 100
সর্বোচ্চ IDSS (uA) 1
সর্বোচ্চ ড্রেন সোর্স রেজিস্ট্যান্স (MOhm) 600@10V
সাধারণ গেট চার্জ @ Vgs (nC) 15@10V
সাধারণ গেট চার্জ @ 10V (nC) 15
সাধারণ ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিডিএস (পিএফ) 526@100V
সর্বোচ্চ শক্তি অপচয় (mW) 33000
সাধারণ পতনের সময় (এনএস) 14
সাধারণ উত্থানের সময় (এনএস) 18
সাধারণ টার্ন-অফ বিলম্বের সময় (এনএস) 18
সাধারণত টার্ন-অন বিলম্বের সময় (এনএস) 12
ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা (°C) -55
সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা (°সে) 150
সরবরাহকারী প্যাকেজ TO-220FP
পিন কাউন্ট 3
স্ট্যান্ডার্ড প্যাকেজের নাম TO-220
মাউন্টিং গর্তের দিকে
প্যাকেজের উচ্চতা 16.12 (সর্বোচ্চ)
প্যাকেজ দৈর্ঘ্য 10.63 (সর্বোচ্চ)
প্যাকেজ প্রস্থ 4.83(সর্বোচ্চ)
পিসিবি বদলেছে 3
ট্যাব ট্যাব
সীসা আকৃতি গর্তের দিকে
অংশ সংখ্যা SIHF10N40D-E3
মূল অংশ সংখ্যা SIHF10N40
ইইউ RoHS ছাড়ের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ
ECCN (মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র) EAR99
পার্ট স্ট্যাটাস সক্রিয়
এইচটিএস 8541.29.00.95
 

ট্যাগ:

H30R1602 বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস,

IRFB4310PBF,

IGBT পাওয়ার ডিসক্রিট সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস

যোগাযোগের ঠিকানা
অধিক বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস
চীন ভাল গুণ ইলেকট্রনিক আইসি চিপ সরবরাহকারী. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.